Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR 1206-8 ChipFET ?
0.093
(2.357)
0.026
(0.650)
0.016
(0.406)
0.010
(0.244)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
www.vishay.com
2
Document Number: 72593
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料
SI5480DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5481DU-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
SI5482DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5484DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
SI5485DU-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
SI5499DC-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
SI5504DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
SI5511DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
相关代理商/技术参数
SI5475DC 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P 1206-8
SI5475DC 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P 1206-8
SI5475DC-T1 功能描述:MOSFET 12V 7.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5475DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 7.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5475DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 7.6A 2.5W 31mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5475DDC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5475DDC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 6.0A 5.7W 32mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5476DU 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET